PCB制板熱風整平前處理過程的好壞對熱風整平的質(zhì)量影響很大，該工序必須徹底清除焊盤上的油污，雜質(zhì)及氧化層，為浸錫提供新鮮可焊的銅表面?，F(xiàn)在較常采用的前處理工藝是機械式噴淋，首先是硫酸-雙氧水微蝕刻，微蝕后浸酸，然后是水噴淋沖洗，熱風吹干，噴助焊劑，立即熱風整平。前處理不良造成的露銅現(xiàn)象是不分類型批次同時大量出現(xiàn)的，露銅點常常是分布整個板面，在邊緣上更是嚴重。使用放大鏡觀察前處理后的線路板將發(fā)現(xiàn)焊盤上有明顯殘留的氧化點和污跡。出現(xiàn)類似情況應(yīng)對微蝕溶液進行化學分析，檢查第二道酸洗溶液，調(diào)整溶液的濃度更換由于時間使用過長污染嚴重的溶液，檢查噴淋系統(tǒng)是否通暢。適當?shù)难娱L處理時間也可提高處理效果，但需注意會出現(xiàn)的過腐蝕現(xiàn)象，返工的線路板經(jīng)熱風整平后處理線再在5%的鹽酸溶液中處理一下，去除表面的氧化物。2.焊盤表面不潔，有殘余的阻焊劑污染焊盤。目前大部份的廠家采用全板絲網(wǎng)印刷液態(tài)感光阻焊油墨，然后通過曝光、顯影去除多余的阻焊劑，得到時間的阻焊圖形。在該過程中，預(yù)烘過程控制不好，溫度過高時間過長都會造成顯影的困難。阻焊底片上是否有缺陷，顯影液的成份及溫度是否正確，顯影時的速度即顯影點是否正確，噴嘴是否堵塞及噴嘴的壓力是否正常，水洗是否良好，其中任何一點情況都會給焊盤上留下殘點。如由于底片的原因形成的露銅一般較有規(guī)律性，都在同一點上。該種情況使用放大鏡可發(fā)現(xiàn)在露銅處有阻焊物質(zhì)的殘留痕跡，PCB設(shè)計一般在固化工序前應(yīng)設(shè)立一崗位對圖形及金屬化孔內(nèi)部進行檢查，保證送到下一工序的印刷線路板的焊盤和金屬化孔內(nèi)清潔無阻焊油墨殘留。3.助焊劑活性不夠助焊劑的作用是改善銅表面的潤濕性，保護層壓板表面不過熱，且為焊料涂層提供保護作用。如助焊劑活性不夠，銅表面潤濕性不好，焊料就不能完全覆蓋焊盤，其露銅現(xiàn)象與前處理不佳類似，延長前處理時間可減輕露銅現(xiàn)象?，F(xiàn)在的助焊劑幾乎全為酸性助焊劑，內(nèi)含有酸性添加劑，如酸性過高會產(chǎn)生咬銅現(xiàn)象嚴重，造成焊料中的銅含量高引起鉛錫粗糙;酸性過低，則活性弱，會導(dǎo)致露銅。如鉛錫槽中的銅含量大要及時除銅。工藝技術(shù)人員選擇一個質(zhì)量穩(wěn)定可靠的助焊劑對熱風整平有重要的影響，優(yōu)良的助焊劑的是熱風整平質(zhì)量的保證。

一個布局是否合理沒有判斷標準，可以采用一些相對簡單的標準來判斷布局的優(yōu)劣。最常用的標準就是使飛線總長度盡可能短。一般來說，飛線總長度越短，意味著布線總長度也是越短(注意：這只是相對于大多數(shù)情況是正確的，并不是完全正確);走線越短，走線所占據(jù)的印制板面積也就越小，布通率越高。在走線盡可能短的同時，還必須考慮布線密度的問題。如何布局才能使飛線總長度最短并且保證布局密度不至于過高而不能實現(xiàn)是個很復(fù)雜的問題。因為，調(diào)整布局就是調(diào)整封裝的放置位置，一個封裝的焊盤往往和幾個甚至幾十個網(wǎng)絡(luò)同時相關(guān)聯(lián)，減小一個網(wǎng)絡(luò)飛線長度可能會增長另一個網(wǎng)絡(luò)的飛線長度。如何能夠調(diào)整封裝的位置到最佳點實在給不出太實用的標準，實際操作時，主要依靠設(shè)計者的經(jīng)驗觀查屏幕顯示的飛線是否簡捷、有序和計算出的總長度是否最短。飛線是手工布局和布線的主要參考標準，手工調(diào)整布局時盡量使飛線走最短路徑，手工布線時常常按照飛線指示的路徑連接各個焊盤。Protel的飛線優(yōu)化算法可以有效地解決飛線連接的最短路徑問題。飛線的連接策略Protel提供了兩種飛線連接方式供使用者選擇：順序飛線和最短樹飛線。在布線參數(shù)設(shè)置中的飛線模式頁可以設(shè)置飛線連接策略，應(yīng)該選擇最短樹策略。動態(tài)飛線在有關(guān)飛線顯示和控制一節(jié)中已經(jīng)講到： 執(zhí)行顯示網(wǎng)絡(luò)飛線、顯示封裝飛線和顯示全部飛線命令之一后飛線顯示開關(guān)打開，執(zhí)行隱含全部飛線命令后飛線顯示開關(guān)關(guān)閉。

開發(fā)PCB打樣如果阻抗變化只發(fā)生一次，例如線寬從8mil變到6mil后，一直保持6mil寬度這種情況，要達到突變處信號反射噪聲不超過電壓擺幅的5%這一噪聲預(yù)算要求，PCB打樣阻抗變化必須小于10%。這有時很難做到，以 FR4板材上微帶線的情況為例，我們計算一下。如果線寬8mil，線條和參考平面之間的厚度為4mil，特性阻抗為46.5歐姆。線寬變化到6mil后特性阻抗變成54.2歐姆，阻抗變化率達到了20%。反射信號的幅度必然超標。至于對信號造成多大影響，還和信號上升時間和驅(qū)動端到反射點處信號的時延有關(guān)。但至少這是一個潛在的問題點。幸運的是這時可以通過阻抗匹配端接解決問題。如果阻抗變化發(fā)生兩次，例如線寬從8mil變到6mil后，拉出2cm后又變回8mil。那么在2cm長6mil寬線條的兩個端點處都會發(fā)生反射，一次是阻抗變大，發(fā)生正反射，接著阻抗變小，發(fā)生負反射。如果兩次反射間隔時間足夠短，兩次反射就有可能相互抵消，從而減小影響。假設(shè)傳輸信號為1V，第Y次正反射有0.2V被反射，1.2V繼續(xù)向前傳輸，第二次反射有 -0.2*1.2 = 0.24v被反射回。再假設(shè)6mil線長度極短，兩次反射幾乎同時發(fā)生，那么總的反射電壓只有0.04V，小于5%這一噪聲預(yù)算要求。因此，這種反射是否影響信號，有多大影響，和阻抗變化處的時延以及信號上升時間有關(guān)。研究及實驗表明，只要阻抗變化處的時延小于信號上升時間的20%，反射信號就不會造成問題。如果信號上升時間為1ns，那么阻抗變化處的時延小于0.2ns對應(yīng)1.2英寸，反射就不會產(chǎn)生問題。也就是說，對于本例情況，6mil寬走線的長度只要小于3cm就不會有問題。

大量涉及蝕刻面的質(zhì)量問題都集中在上板面被蝕刻的部分，而這些問題來自于蝕刻劑所產(chǎn)生的膠狀板結(jié)物的影響。對這一點的了解是十分重要的，因膠狀板結(jié)物堆積在銅表面上。一方面會影響噴射力，另一方面會阻檔了新鮮蝕刻液的補充，使蝕刻的速度被降低。正因膠狀板結(jié)物的形成和堆積，使得基板上下面的圖形的蝕刻程度不同，先進入的基板因堆積尚未形成，蝕刻速度較快， 故容易被徹底地蝕刻或造成過腐蝕，而后進入的基板因堆積已形成，而減慢了蝕刻的速度。蝕刻設(shè)備的維護維護蝕刻設(shè)備的最關(guān)鍵因素就是要保證噴嘴的高清潔度及無阻塞物，使噴嘴能暢順地噴射。阻塞物或結(jié)渣會使噴射時產(chǎn)生壓力作用，沖擊板面。而噴嘴不清潔，則會造成蝕刻不均勻而使整塊電路板報廢。明顯地，設(shè)備的維護就是更換破損件和磨損件，因噴嘴同樣存在著磨損的問題，所以更換時應(yīng)包括噴嘴。此外，更為關(guān)鍵的問題是要保持蝕刻機沒有結(jié)渣，因很多時結(jié)渣堆積過多會對蝕刻液的化學平衡產(chǎn)生影響。同樣地，如果蝕刻液出現(xiàn)化學不平衡，結(jié)渣的情況就會愈加嚴重。蝕刻液突然出現(xiàn)大量結(jié)渣時，通常是一個信號，表示溶液的平衡出現(xiàn)了問題，這時應(yīng)使用較強的鹽酸作適當?shù)那鍧嵒驅(qū)θ芤哼M行補加。

隨著PCB設(shè)計復(fù)雜度的逐步提高，對于信號完整性的分析除了反射，串擾以及EMI之外，穩(wěn)定可靠的電源供應(yīng)也成為設(shè)計者們重點研究的方向之一。尤其當開關(guān)器件數(shù)目不斷增加，核心電壓不斷減小的時候，電源的波動往往會給系統(tǒng)帶來致命的影響，于是人們提出了新的名詞：電源完整性，簡稱PI(powerintegrity)。當今國際市場上，IC設(shè)計比較發(fā)達，但電源完整性設(shè)計還是一個薄弱的環(huán)節(jié)。因此本文提出了PCB板中電源完整性問題的產(chǎn)生，分析了影響電源完整性的因素并提出了解決PCB板中電源完整性問題的優(yōu)化方法與經(jīng)驗設(shè)計，具有較強的理論分析與實際工程應(yīng)用價值。二、電源噪聲的起因及分析對于電源噪聲的起因我們通過一個與非門電路圖進行分析。圖1中的電路圖為一個三輸入與非門的結(jié)構(gòu)圖，因為與非門屬于數(shù)字器件，它是通過“1”和“0”電平的切換來工作的。隨著IC技術(shù)的不斷提高，數(shù)字器件的切換速度也越來越快，這就引進了更多的高頻分量，同時回路中的電感在高頻下就很容易引起電源波動。如在圖1中，當與非門輸入全為高電平時，電路中的三極管導(dǎo)通，電路瞬間短路，電源向電容充電，同時流入地線。此時由于電源線和地線上存在寄生電感，我們由公式V=LdI/dt可知，這將在電源線和地線上產(chǎn)生電壓波動，如圖2中所示的電平上升沿所引入的ΔI噪聲。當與非門輸入為低電平時，此時電容放電，將在地線上產(chǎn)生較大的ΔI噪聲;而電源此時只有電路的瞬間短路所引起的電流突變，由于不存在向電容充電而使電流突變相對于上升沿來說要小。從對與非門的電路進行分析我們知道，造成電源不穩(wěn)定的根源主要在于兩個方面：一是器件高速開關(guān)狀態(tài)下，瞬態(tài)的交變電流過大;